Kommission genehmigt staatliche Beihilfe Deutschlands in Höhe von 288 Mio. EUR für neuartige Anlagen in der Halbleiter-Wertschöpfungskette

Kommission genehmigt deutsche Beihilfe von 288 Mio. EUR

Die Europäische Kommission hat eine staatliche Beihilfe Deutschlands in Höhe von 288 Mio. EUR genehmigt, mit der die Errichtung von zwei neuen Anlagen in der Halbleiter-Lieferkette unterstützt werden soll. Bei den beiden Maßnahmen, für die die Beihilfe gewährt wird, handelt es sich um eine mit 222 Mio. EUR ausgestattete Maßnahme zugunsten des Unternehmens Carl Zeiss, die den Bau einer Produktionsstätte für Halbleiter-Fertigungsausrüstung in Oberkochen (Baden-Württemberg) vorsieht, und eine mit 66 Mio. EUR ausgestattete Maßnahme zugunsten der Zadient Materials Europe GmbH, bei der die Errichtung einer Produktionsstätte für Halbleiter-Ausgangsmaterial in Bitterfeld (Sachsen-Anhalt) geplant ist. Im Einklang mit den Zielen des europäischen Chip-Gesetzes und den politischen Leitlinien für die Kommission 2024-2029 werden die Maßnahmen dazu beitragen, die Position und die Autonomie der EU im Bereich der Halbleiter-Wertschöpfungskette zu stärken.

Beihilfe für Carl Zeiss

Deutschland hat die geplante Förderung des Projekts „HNA@SCALE“ von Zeiss bei der Kommission zur Genehmigung angemeldet. Mit dem Vorhaben soll die nächste Generation von optischen EUV-Säulen (EUV: extrem ultraviolettes Licht) eingeführt und industrialisiert werden. Diese Säulen werden für die nächste Generation von EUV-Lithografiemaschinen benötigt, die von dem niederländischen Unternehmen ASML hergestellt werden. Die EUV-Lithografie ist von entscheidender Bedeutung für die Herstellung von Chips des Spitzensegments, die in Schlüsselbereichen wie Hochleistungsrechnen und autonomes Fahren benötigt werden. Die Beihilfe wird in Form eines Direktzuschusses von 222 Mio. EUR gewährt.

Beihilfe für Zadient

Deutschland meldete ferner das geplante Investitionsvorhaben „Sic-Pro“ von Zadient bei der Kommission zur Genehmigung an, in dessen Rahmen eine neuartige Produktionsstätte für ultrareines Siliziumkarbid (SiC), das als Ausgangsmaterial für die Halbleiterindustrie bestimmt ist, errichtet werden soll.

Das Vorhaben beinhaltet ein Kreislaufsystem, bei dem Prozessgase zurückgewonnen und in den Produktionszyklus zurückgeführt werden. Dabei handelt es sich um ein neuartiges Verfahren in der EU, von dem hohe Materialqualität, Energieeffizienz und langfristige Kosteneffizienz erwartet werden. Die Beihilfe wird in Form eines Direktzuschusses von 66 Mio. EUR gewährt.

Mit Blick auf die Gewährung der Beihilfen haben Zeiss und Zadient zugesagt,

• zu gewährleisten, dass die Vorhaben weitreichende Auswirkungen haben und sich insbesondere auf die Halbleiter-Wertschöpfungskette in der EU positiv auswirken werden, indem sie die Versorgungssicherheit gewährleisten und die Zahl qualifizierter Arbeitskräfte erhöhen,
• die Zusammenarbeit mit Universitäten und Forschungseinrichtungen auszubauen,
• im Falle eines Versorgungsengpasses vorrangige Aufträge auszuführen,
• spezielle Ausbildungen zu entwickeln, um den Pool an ausgebildeten und qualifizierten Arbeitskräften zu vergrößern und
• potenzielle projektbezogene Gewinne, die über die derzeitigen Erwartungen hinausgehen, mit Deutschland zu teilen.

Beihilferechtliche Würdigung der Kommission

Die Kommission hat die Maßnahme Deutschlands nach den EU-Beihilfevorschriften geprüft, insbesondere nach Artikel 107 Absatz 3 Buchstabe c des Vertrags über die Arbeitsweise der Europäischen Union (AEUV), der es den Mitgliedstaaten ermöglicht, die Entwicklung gewisser Wirtschaftszweige unter bestimmten Voraussetzungen zu fördern, sowie nach den Grundsätzen des europäischen Chip-Gesetzes.

Die Kommission ist dabei zu folgendem Ergebnis gelangt:

• Die Maßnahmen fördern die Entwicklung wirtschaftlicher Tätigkeiten, indem sie Produktionskapazitäten für Schlüsselkomponenten in den Bereichen Halbleiter-Fertigungsausrüstung und Ausgangsmaterial für die Halbleiterproduktion in Europa schaffen.
• Die Fertigungsanlagen sind in Europa neuartig.
• Die Beihilfe hat einen Anreizeffekt, da die Unternehmen diese Investitionen ohne öffentliche Unterstützung in Europa in geringerem Umfang, später oder überhaupt nicht tätigen würden.
• Die Maßnahmen haben begrenzte Auswirkungen auf den Wettbewerb und den Handel innerhalb der EU. Sie sind erforderlich und geeignet, um die Resilienz der europäischen Halbleiter-Lieferkette zu gewährleisten. Darüber hinaus ist die Beihilfe angesichts der nachgewiesenen Finanzierungslücke angemessen und auf das erforderliche Minimum begrenzt.
• Die Maßnahmen haben positive Auswirkungen auf das europäische Halbleiter-Ökosystem insgesamt und stärken die Versorgungssicherheit in Europa. Die Beihilfeempfänger werden mit Start-up-Unternehmen, KMU und Forschungseinrichtungen zusammenarbeiten. Zeiss und Zadient beantragen auch die Anerkennung ihrer Anlagen als „integrierte Produktionsstätten“ im Sinne des EU-Chip-Gesetzes und verpflichten sich daher, alle mit diesem Status verbundenen Verpflichtungen zu erfüllen.

Auf dieser Grundlage hat die Kommission die Maßnahmen Deutschlands nach den EU-Beihilfevorschriften genehmigt.

Hintergrund

Im November 2024 veröffentlichte Deutschland eine Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen für innovative Investitionsvorhaben in der europäischen Halbleiter-Wertschöpfungskette. Die heutigen Beschlüsse betreffen das dritte und das vierte im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen vorausgewählte Vorhaben.

Am 8. Februar 2022 nahm die Kommission die Mitteilung „Ein Chip-Gesetz für Europa“ an. Diese Mitteilung ist Teil eines umfassenden Pakets zum Chip-Gesetz, zu dem auch das am 21. September 2023 in Kraft getretene europäische Chip-Gesetz gehört.

In ihrer Mitteilung „Ein Chip-Gesetz für Europa“ erinnerte die Kommission daran, dass Investitionen in neue fortschrittliche Produktionsanlagen im Halbleiterbereich unerlässlich sind, um die Versorgungssicherheit und die Resilienz der Lieferkette in der EU zu sichern und gleichzeitig signifikante positive Auswirkungen auf die Wirtschaft insgesamt zu erzielen. Zudem legte die Kommission eine Reihe von Faktoren dar, die für eine Einzelfallprüfung unmittelbar auf der Grundlage des Artikels 107 Absatz 3 Buchstabe c AEUV relevant sind.

Die heutigen Genehmigungen bilden den zwölften und den dreizehnten Beschluss der Kommission auf dieser Grundlage. Im Rahmen bisher genehmigter Maßnahmen haben verschiedene Mitgliedstaaten Beihilfen in Höhe von insgesamt rund 13,9 Mrd. EUR gewährt, um die Herstellung verschiedener Halbleitertechnologien und -anwendungen zu fördern.

Mehr zum Thema

Sobald alle Fragen im Zusammenhang mit dem Schutz vertraulicher Daten geklärt sind, werden die nichtvertraulichen Fassungen der Beschlüsse über das Beihilfenregister auf der Website der Kommission zum Thema Wettbewerb unter den Nummern SA.119615 (Carl Zeiss) und SA.119616 (Zadient) zugänglich gemacht. Über neu im Internet und im Amtsblatt veröffentlichte Beihilfebeschlüsse informiert der elektronische Newsletter Competition Weekly e-News.